研究開発R&D
単結晶窒化アルミニウム（AlN）
トクヤマ独自のHVPE法により作製した単結晶AlNは、低転位密度・高紫外線透過性・低不純物濃度の基板です。AlNは、Ⅲ-Ⅴ族半導体の中で最も広いバンドギャップエネルギーと高い熱伝導率を有しており、AlGaN系の深紫外線発光デバイスや電子デバイス用の基板材料として注目されています。
AlN自立基板の外観及びAFM像（表面）
HVPE法単結晶AlNテンプレート
特長
- 低転位密度
- 高紫外線透過性
- 低不純物濃度
- 高熱伝導率
主な用途
- 電子デバイス
HVPE法自立型単結晶AlN基板
特長
- 低転位密度
- 高紫外線透過性
- 低不純物濃度
- 高熱伝導率
主な用途
- 電子デバイス
- 深紫外線レーザーダイオード
- 深紫外線発光ダイオード